Cấu trúc “hoa nano” lưu trữ pin mặt trời trời hiệu suất cao
Thứ hai, 22/10/2012 - 13:17
Các nhà nghiên cứu thuộc trường ĐH North Carolina đã phát triển một cấu trúc “hoa nano” từ các germanium sulfide (GeS) tỏ ra có triển vọng to lớn để sử dụng cho các thiết bị lưu trữ năng lượng và pin mặt trời trời hiệu suất cao.
Các nhà nghiên cứu thuộc trường ĐH North Carolina đã phát triển một cấu trúc “hoa nano” từ các germanium sulfide (GeS) tỏ ra có triển vọng to lớn để sử dụng cho các thiết bị lưu trữ năng lượng và pin mặt trời trời hiệu suất cao.
Bí mật nằm ở các cánh hoa siêu mỏng của vật liệu này cung cấp một diện tích bề mặt lớn chỉ trong một không gian nhỏ.
Các nhà nghiên cứu đã tạo ra các cấu trúc giống hoa trước tiên bằng cách làm nóng bột GeS trong lò cho đến khi nó bốc hơi. Sau đó, hơi được thổi vào trong khu vực mát của lò nơi GeS lắng đọng thành lá được sắp xếp theo lớp chỉ dày 20 - 30 nanomet và dài 100 micromet. Cấu trúc giống như hoa cẩm chướng hay cúc vạn thọ được hình thành khi các lớp lá được bổ sung.
GeS là vật liệu bán dẫn rất phù hợp để sử dụng cho các pin mặt trời vì giá thành rẻ và không độc hại, trong khi cấu trúc nguyên tử của nó hấp thu năng lượng mặt trời và chuyển đổi thành điện năng hữu dụng. Tuy nhiên, pin mặt trời không phải chỉ là các ứng dụng tiềm năng duy nhất đối với công nghệ hóa nano.
TS Linyou Cao, PGS về khoa học và kỹ thuật vật liệu và là đồng tác giả nghiên cứu cho rằng điều này có thể làm tăng đáng kể công suất của pin lithium-ion vì cấu trúc mỏng với diện tích bề mặt lớn hơn có thể chứa nhiều ion lithium hơn. Tương tự như vậy, cấu trúc hoa GeS này có thể tăng công suất cho các siêu tụ điện được sử dụng để lưu trữ năng lượng.
Lê My Theo NASATI