Kết quả các nghiên cứu về người tiêu dùng cho thấy việc người dùng chấp nhận phương tiện di chuyển bằng điện (electromobility) phụ thuộc rất nhiều vào tính khả dụng của trạm sạc và thời gian sạc.

Thực tế là giải pháp phát triển các trạm sạc DC công suất cao sẽ đáp ứng tốt nhu cầu này của thị trường nhờ khả năng sạc khoảng 80% dung lượng pin của một chiếc xe điện thông thường trong vòng chưa đầy 10 phút. Đây là thông số khá lý tưởng bởi khoảng thời gian này gần như tương đương với quá trình tiếp nhiên liệu cho một chiếc ô tô động cơ đốt trong.

Là công ty hàng đầu thị trường về các giải pháp bán dẫn và điện tử công suất cao, Infineon đã nghiên cứu và phát triển các thiết kế sạc nhanh DC tiết kiệm năng lượng phù hợp với cuộc sống hiện đại ngày nay.

Lợi điểm nổi bật nhất của các sản phẩm sạc nhanh DC đến từ Infineon chính là tính toàn diện. Thương hiệu này có khả năng cung cấp cho các nhà sản xuất một bộ sản phẩm hoàn chỉnh ích đáp ứng các nhu cầu chính cho trạm sạc, từ chuyển đổi năng lượng, bộ vi điều khiển, bảo mật, nguồn điện phụ trợ và cho đến các nhu cầu khác, tất cả đều luôn sẵn sàng để triển khai và đưa vào sản xuất.

Đối với các thiết kế sạc nhanh cho xe điện lên đến 150 kW, các sản phẩm riêng biệt của Infineon mang lại tỷ lệ giá thành trên hiệu suất tốt. Các sản phẩm này gồm các dòng 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET P7 và CFD7, 650 V IGBT TRENCHSTOP™ 5 và 1200 V CoolSiC™ MOSFET.

Các lợi thế vượt trội của CoolMOS™ và CoolSiC™ MOSFETs có thể kể đến như khả năng hoạt động với tần suất cao ở mức năng lượng cao, đồng thời giảm tổn thất chuyển mạch, giúp đạt hiệu quả tối ưu trong bất kỳ hệ thống sạc pin nào. Danh mục các bộ chuyển mạch cao áp của Infineon được hỗ trợ bởi các đi-ốt Schottky CoolSiC™ 650V và 1200V.

Mọi bộ chuyển mạch đều cần trình điều khiển và mọi trình điều khiển đều cần được kiểm soát, do đó Infineon cũng cung cấp trình điều khiển cổng EiceDRIVER™ phù hợp cũng như bộ vi điều khiển XMC™ và AURIX™ cho các thiết kế trạm sạc xe điện. Các sản phẩm OPTIGA™ hoàn thiện danh mục đầu tư và đảm bảo khả năng bảo vệ và bảo mật dữ liệu.

Bộ sạc trong dải công suất từ 50 kW trở trên thường được chế tạo với IGBTs CoolSiC™ MOSFET và mô-đun đi-ốt cung cấp điện, ví dụ: Mô-đun CoolSiC™ Easy, IGBT EconoPACK™ và dòng IGBT EconoDUAL™.

Các trụ sạc có công suất lớn hơn 100kW thường được chế tạo theo phương thức dạng mô-đun có thể xếp chồng lên nhau. Hiện tại, các bộ mô-đun đã đạt công suất 20-50 kW mỗi bộ và sẽ vượt xa mức này ở các thiết kế trong tương lai.

Cơ sở hạ tầng trạm sạc phù hợp đóng vai trò quan trọng trong việc hỗ trợ thị trường xe điện đang phát triển nhanh chóng trên toàn thế giới. Là nhà cung cấp chất bán dẫn hàng đầu thế giới ứng dụng cho các hệ thống hỗ trợ lái xe và lĩnh vực di chuyển điện hoá, Infineon đang đồng hành cùng các nhà thiết kế, sản xuất trong ngành thiết lập tiêu chuẩn hóa toàn cầu về hạ tầng trạm sạc cho xe hybrid và xe điện.

Từ năm 2017, công ty đã tham gia chương trình "Charging Interface Initiative e.V"(CharIN) - một sáng kiến nhằm thiết lập các tiêu chuẩn thế giới về hệ thống sạc cho tất cả các loại xe điện chạy bằng pin với thành viên sáng lập là các nhà sản xuất ô tô lớn.

Infineon đóng góp cho CharIN những hiểu biết chuyên sâu về lĩnh vực di chuyển điện hoá cũng như kiến thức, kinh nghiệm về đảm bảo an toàn cho ô tô và bảo mật dữ liệu. Với tư cách là thành viên của hiệp hội, công ty đang hỗ lực góp phần xây dựng các giải pháp sạc xe an toàn, hiệu quả và nhanh chóng.